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IPT067N20NM6ATMA1
OptiMOs 6功率晶体管，200 V
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- 描述
- 特性：N-通道，正常电平。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 无铅引脚电镀；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21无卤。 根据J-STD-020进行MSL 1分类。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPT067N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22408421
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 137A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻 RDS(on)
- 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS\left( on\right) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷 \left(Qrr\right)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度 175℃
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 根据J-STD-020标准分类为MSL 1级
- 100%经过雪崩测试