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IAUCN04S7N006ATMA1
OptiMOs 7汽车功率MOSFET
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- 描述
- 特性：适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET-N沟道。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S7N006ATMA1
- 商品编号
- C22408557
- 商品封装
- TDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 370A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.78mΩ@7V | |
| 耗散功率(Pd) | 164W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@85uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.349nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.27nF |
商品概述
P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
商品特性
- VDS = -20 V，ID = -2.5 A
- 在VGS = -2.5 V时，RDS(ON) < 150 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时，RDS(ON) < 110 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 可进行铜线键合
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码相机