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IGT60R190D1ATMA1
CoolGaN增强型功率晶体管，具备超快开关、无反向恢复电荷、可反向导通、低栅极电荷和输出电荷等特性，适用于工业、电信和数据中心SMPS
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IGT60R190D1ATMA1
- 商品编号
- C22408564
- 商品封装
- HSOF-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 157pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ |
商品特性
- 增强型晶体管 - 常开型开关
- 超快速开关
- 无反向恢复电荷
- 能够反向导通
- 低栅极电荷，低输出电荷
- 卓越的换向耐用性
- 符合JEDEC标准（JESD47和JESD22）的工业应用要求
应用领域
基于半桥拓扑的工业、电信、数据中心开关电源（如图腾柱PFC、高频LLC等硬开关和软开关半桥拓扑）
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