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IMDQ75R008M1HXUMA1
750V CoolSiC功率器件
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- 描述
- 基于英飞凌20多年来开发的成熟碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境，能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMDQ75R008M1HXUMA1
- 商品编号
- C22408599
- 商品封装
- HDSOP-22
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 173A | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 178nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.135nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 510pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.6mΩ |
商品特性
- 高度稳健的750V技术，100%经过雪崩测试
- 业界领先的RDS(on) × Ωfr
- 优异的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG
- 低Crss/Ciss与高Vgs(th)的独特组合
- 专有的芯片贴装技术
- 先进的顶部冷却封装（QDPAK）
- 提供驱动源引脚
- SMD器件中业界领先的RDS(on)（点号）
应用领域
- 固态继电器和断路器
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器
- UPS
- 能量存储和电池化成
- 电信和服务器SMPS