AIMZH120R030M1TXKSA1

引脚定义为：1 – 漏极，2 – 源极，3 – 开尔文检测触点，4 – 栅极。

• 在结温T_vj = -55~175°C条件下，漏源击穿电压V_DSS = 1200 V。
• 在壳温T_C = 25°C条件下，连续漏极电流I_DDC = 69 A。
• 采用性能优化的新一代芯片技术，具有改进的R_DS(on) × A × FOM。
• 提高的推荐导通栅源电压（V_GS(on) = 20 V），以实现更低的R_DS(on)。
• 业界领先的开关能量，可降低开关损耗并减少散热需求。
• 最低的器件电容，支持更高的开关速度和功率密度。
• 低C_rss/C_iss比值与高V_GS(th)相结合，可避免寄生导通并实现单极性栅极驱动。
• 降低的总栅极电荷Q_G(tot)，有助于减少驱动功率和损耗。
• 采用.XT芯片贴装技术，实现卓越的热性能。
• 配备检测引脚，用于优化开关性能。
• 最小爬电距离为7.07 mm，满足高压要求。

• 车载充电器
• DC/DC转换器
• 辅助驱动器