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AIMZH120R160M1TXKSA1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AIMZH120R160M1TXKSA1

AIMZH120R160M1TXKSA1

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商品型号
AIMZH120R160M1TXKSA1
商品编号
C22411128
商品封装
TO-247-4​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 在Tvj = -55 ... 175°C时,VDSS = 1200 V
  • 在TC = 25°C时,IDDC = 17 A
  • 在VGS = 20 V、Tvj = 25°C时,RDS(on) = 160 mΩ
  • 采用新型性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon * A品质因数
  • 提高推荐导通电压(VGS(on) = 20 V)以降低RDS(on)
  • 同类最佳的开关能量,可降低开关损耗并减少散热需求
  • 最低的器件电容,可实现更高的开关速度和更高的功率密度
  • 低Crss / Ciss比与高VGS(th)相结合,可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
  • 降低总栅极电荷QGtot,以降低驱动功率和损耗
  • 采用.XT芯片贴装技术,实现同类最佳的热性能
  • 感应引脚,优化开关性能
  • 适用于高压爬电要求

应用领域

  • 车载充电器
  • DC/DC转换器
  • 辅助驱动器

数据手册PDF