- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMZH120R160M1TXKSA1
N沟道 1.2kV 17A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZH120R160M1TXKSA1
- 商品编号
- C22411128
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 109W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品特性
- 在Tvj = -55 ... 175°C时,VDSS = 1200 V
- 在TC = 25°C时,IDDC = 17 A
- 在VGS = 20 V、Tvj = 25°C时,RDS(on) = 160 mΩ
- 采用新型性能优化芯片技术(Gen1p),改善了RDSon * A品质因数
- 提高推荐导通电压(VGS(on) = 20 V)以降低RDS(on)
- 同类最佳的开关能量,可降低开关损耗并减少散热需求
- 最低的器件电容,可实现更高的开关速度和更高的功率密度
- 低Crss / Ciss比与高VGS(th)相结合,可避免寄生导通并支持单极栅极驱动
- 降低总栅极电荷QGtot,以降低驱动功率和损耗
- 采用.XT芯片贴装技术,实现同类最佳的热性能
- 感应引脚,优化开关性能
- 适用于高压爬电要求
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动器