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IAUCN04S6N013TATMA1
N沟道 40V 230A
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的功率MOSFET-N沟道。增强模式。正常电平。超出AEC-Q101的扩展认证。增强型电气测试。稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN04S6N013TATMA1
- 商品编号
- C22415427
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.32mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 133W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.08nF |
商品特性
- 适用于汽车应用的OptiMOS™功率MOSFET
- N沟道 - 增强型 - 正常电平
- 超出AEC-Q101的扩展认证
- 增强型电气测试
- 坚固的设计
- 湿度敏感度等级1（MSL1），最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 100%雪崩测试
- 顶部散热
应用领域
- 通用汽车应用。
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