温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTBG1000N170M1
NTBG1000N170M1
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：典型导通电阻RDS(on) = 960 mΩ。 超低栅极电荷（典型值QG(tot) = 14 nC）。 低有效输出电容（典型值Cₒₛₛ = 11 pF）。 100%雪崩测试。 符合RoHS标准。应用：太阳能逆变器。 电动汽车充电站
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBG1000N170M1
- 商品编号
- C22415750
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.92克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 51W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.43Ω |