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AIMZA75R016M1HXKSA1
750V 89A
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- 描述
- 750V CoolSiC™ 基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙SiC材料特性，750V CoolSiC™ MOSFET 提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境，可实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZA75R016M1HXKSA1
- 商品编号
- C22410919
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@18V | |
| 耗散功率(Pd) | 319W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@18V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.869nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 181pF |
商品概述
750 V CoolSiC™ 基于英飞凌20多年来研发的成熟碳化硅技术打造。借助宽带隙碳化硅材料特性，750 V CoolSiC™ MOSFET集卓越性能、高可靠性和易用性于一身。它适用于高温和恶劣工作环境，可实现系统最高效率的简化且经济高效的部署。
商品特性
- 高度稳健的750 V技术,经过100%雪崩测试
- 同类最佳的RDS(on) × Qfr
- 出色的RDS(on) x Qoss和RDS(on) x QG
- 低Crss / Ciss与高VGS(th)的独特组合
- 英飞凌专有芯片贴装技术
- 提供驱动源极引脚
应用领域
-单向和双向车载充电器以及高压-低压DC-DC转换器-硬开关半桥-软开关拓扑