TK20J50D(F)
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK20J50D(F)
- 商品编号
- C22411035
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FDN338P是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品FDN338P为无铅产品。
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.22 Ω(典型值)
- 高正向传输导纳:|Yfs| = 8.5 S(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10\mu A(最大值)(VDS = 500V)
- 增强型模式:Vth = 2.0 至 4.0V(VDS = 10V,ID = 1mA)
应用领域
- 开关稳压器应用