- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK6A80E,S4X(S
N沟道MOS（π-MOSVII）MOSFET
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK6A80E,S4X(S
- 商品编号
- C22413233
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35 Ω(典型值)
- 低漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 640 V)
- 增强型:Vth = 2.5 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.6 mA)
应用领域
- 开关稳压器
- TK10A60W,S4VX(M
- TK30A06N1,S4X(S
- TK22A10N1,S4X(S
- C1812C475M5RACTU
- TC7W04FKTE85LF
- RN1706JE(TE85L,F)
- TMS320F240PQA
- 2SC2712-GR(TE85L,F
- CM300DY-13T
- SLIMDIP-L
- C1812F475K5RACTU
- TC4W66FU(TE12L,F)
- PSS30S92F6-AG
- TTC011B,Q(S
- TLP3052A(F
- TC74VHC4051AFK(E,K
- 6AV2124-0GC01-0AX0
- Lmv358B-TSR
- C1812C104KCRACTU
- TPS62A01QDRLRQ1
- CUS08F30,H3F