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TK6A80E,S4X(S
N沟道MOS（π-MOSVII）MOSFET
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK6A80E,S4X(S
- 商品编号
- C22413233
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35 Ω（典型值）
- 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 640 V）
- 增强型：Vth = 2.5 至 4.0 V（VDS = 10 V，ID = 0.6 mA）
应用领域
- 开关稳压器