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TK30A06N1,S4X(S
N沟道 60V 30A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.2 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.2 mA)。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK30A06N1,S4X(S
- 商品编号
- C22413406
- 商品封装
- TO-220SIS
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=12.2 mΩ（典型值）（VGS = 10 V）
- 低漏电流：ΔlDSS = 10 μA（最大值）（VDS = 60 V）
- 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0 V（ΔVDS = 10 V，ID = 0.2 mA）
应用领域
- 开关稳压器
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