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IPF067N20NM6ATMA1
N沟道 200V 138A
- 描述
- 特性：N-channel, normal level。 极低导通电阻Rps(on)。 出色的栅极电荷×Rps(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷（Qrr）。 高雪崩能量额定值，175℃工作温度。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准MSL 1分类，100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPF067N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22408575
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 138A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@253uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 51pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.2nF |
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