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ISZ520N20NM6ATMA1
ISZ520N20NM6ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ520N20NM6ATMA1
- 商品编号
- C22408593
- 商品封装
- TSDSON-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.305克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 960pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 160pF |
商品概述
SI2302 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路。
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 工作温度达175°C
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 符合IEC61249 - 2 - 21的无卤要求
- 依据J - STD - 020标准分级为MSL 1
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- 负载开关
- 数码单反相机