- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMZH120R040M1TXKSA1
碳化硅沟槽MOSFET，具有低开关损耗和高功率密度特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMZH120R040M1TXKSA1
- 商品编号
- C22408452
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 268W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.264nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 63pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
商品概述
该产品是一款1200 V SiC沟槽MOSFET，采用CoolSiC™技术。其管脚定义包括漏极、源极、开尔文检测接触点和栅极。
商品特性
- V_DSS = 1200 V，T_vj = -55...175°C
- I_DDC = 55 A，T_C = 25°C
- R_DS(on) = 40 mΩ，V_GS = 20 V，T_vj = 25°C
- 采用性能优化的新一代芯片技术（Gen1p），改进了R_DSon × A品质因数
- 提高的推荐导通电压（V_GS(on) = 20 V），以实现更低的R_DS(on)
- 同类开关能量，可降低开关损耗和冷却需求
- 最低的器件电容，支持更高的开关速度和功率密度
- 低C_rss/C_iss比值与高V_GS(th)相结合，可避免寄生导通并支持单极性栅极驱动
- 降低的总栅极电荷Q_Gtot，可减少驱动功率和损耗
- 采用.XT芯片贴装技术，实现同类热性能
- 具备检测引脚，可优化开关性能
- 适用于高压爬电距离要求
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC转换器
- 辅助驱动
- AIMBG120R030M1XTMA1
- IMDQ75R008M1HXUMA1
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- IM66D130AXTMA1
- IDWD100E65E7XKSA1
- S29GL512T10TFI020
- IDWD120E65E7XKSA1
- BGSA149M2N10E6327XTSA1
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- IAUCN04S7N006ATMA1
- IM66D120AXTMA1
- IGT60R190D1ATMA1
- IPF067N20NM6ATMA1
- ISZ520N20NM6ATMA1
- CC3301ENJARSBR
- THN-HS1
- C0603C564K8PACTU
- C0603C122J1GACTU
- C0603C330K5RACTU
- C0805C101K1RACTU
- C0603C120J3GACTU