- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AIMBG120R030M1XTMA1
碳化硅沟槽MOSFET，适用于开关和接口电路
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AIMBG120R030M1XTMA1
- 商品编号
- C22408468
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.738nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 82pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
商品特性
- VDSs = 1200 V 在 Tvj = -55...175 °C
- IDDC = 70 A 在 TC = 25 °C
- RDS(on) = 30 mΩ 在 VGS = 20 V，Tvj = 25 °C
- 采用性能优化的新型芯片技术，改进了 RDSon*A
- 业界领先的开关能量，实现更低的开关损耗和更少的散热需求
- 最低的器件电容，支持更高的开关速度和功率密度
- 低 Crss/Ciss 比值与高 VGS(th) 相结合，可避免寄生导通并实现单极性栅极驱动
- 降低的总栅极电荷 QG，减少驱动功率和损耗
- 提高的推荐导通电压 VGS(on) = 20 V，以获得更低的 RDS(on)
- 采用 .XT 芯片贴装技术，实现卓越的热性能
- 低封装寄生电感，实现更快、更干净的开关
- 提供检测源极引脚，用于更好的栅极控制和降低开关损耗
- 5.8 mm 爬电距离，适用于 800 V 应用
- SMT 封装，便于自动化组装并降低系统成本
应用领域
- 车载充电器
- DC/DC 转换器
- 辅助驱动
- IMDQ75R008M1HXUMA1
- IDWD100E65E7XKSA1
- S29GL512T10TFI020
- IDWD120E65E7XKSA1
- BGSA149M2N10E6327XTSA1
- ISC035N10NM5LF2ATMA1
- IAUCN04S7N006ATMA1
- IM66D120AXTMA1
- IGT60R190D1ATMA1
- IPF067N20NM6ATMA1
- ISZ520N20NM6ATMA1
- CC3301ENJARSBR
- THN-HS1
- C0603C564K8PACTU
- C0603C122J1GACTU
- C0603C330K5RACTU
- C0805C101K1RACTU
- C0603C120J3GACTU
- C0805C689D1HACTU
- 1829413
- C0603C109B5GACTU