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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
N沟道 100V 63A
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- 描述
- 特性：适用于以太网供电 (PoE) 应用中的软启动。 极低的导通电阻RDS(on)。 宽安全工作区SOA。 N沟道，正常电平。 100%雪崩测试。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- 商品编号
- C22408457
- 商品封装
- SON-8(3.2x3.2)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
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