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IPTC020N13NM6ATMA1
OptiMOs 6 功率晶体管，135V
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- 描述
- 特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。 针对电机驱动和电池供电应用进行优化。 无铅引脚镀层；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPTC020N13NM6ATMA1
- 商品编号
- C22408422
- 商品封装
- HDSOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.72克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 297A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 395W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.9nF |
商品特性
- N沟道,常电平
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的栅极电荷×RDS\left( on\right) 乘积(品质因数FOM)
- 极低的反向恢复电荷 \left(Qrr\right)
- 100%雪崩测试
- 175℃工作温度
- 针对电机驱动和电池供电应用进行优化
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤
- 根据J - STD - 020标准分级为MSL 1