温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM40P150C
P沟道 耐压:40V 电流:148A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：148A 功率(Pd)：132W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.0mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：195nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：10.733nF@20V ,Vds=-40V Id=-148A Rds=3.0mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj);
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM40P150C
- 商品编号
- C22386136
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.823克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 148A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.733nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 697pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
商品概述
AGM30P20M将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,可实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器