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AGM40P150C实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM40P150C

P沟道 耐压:40V 电流:148A

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描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):148A 功率(Pd):132W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.0mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs):195nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):10.733nF@20V ,Vds=-40V Id=-148A Rds=3.0mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM40P150C
商品编号
C22386136
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.823克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)148A
导通电阻(RDS(on))3mΩ@10V
耗散功率(Pd)132W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)195nC@10V
输入电容(Ciss)10.733nF
反向传输电容(Crss)697pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)770pF

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