AGM216MNE
N+N沟道 20V 3.3A 21mΩ
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- 描述
- 类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.3A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):5.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):0.356nF@10V ,Vds=20V Id=3.3A Rds=21mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM216MNE
- 商品编号
- C22386142
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 356pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 67pF |
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