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AGM20T09C实物图
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AGM20T09C

N沟道 200V 110A 9.3mΩ

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):110A 功率(Pd):278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9.3mΩ@10V,35A 栅极电荷(Qg@Vgs):145nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):10.656nF@100V ,Vds=200V Id=110A Rds=9.3mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM20T09C
商品编号
C22386155
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.775克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)110A
导通电阻(RDS(on))10.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)278W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)145nC@10V
输入电容(Ciss)10.656nF
反向传输电容(Crss)389pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)16pF

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