温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM18N20D
N沟道 耐压:200V 电流:18A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：200V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：158W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：120mΩ@10V,9A 栅极电荷(Qg@Vgs)：56nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.882nF@25V ,Vds=200V Id=18A Rds=120mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM18N20D
- 商品编号
- C22386156
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 882pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 91pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 166pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交9单