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AGM15P30E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AGM15P30E

P沟道 15V 4.1A 34mΩ

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描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):34mΩ@4.5V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):0.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):12nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):0.661nF@10V ,Vds=-15V Id=-4.1A Rds=34mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
品牌名称
AGMSEMI(芯控源)
商品型号
AGM15P30E
商品编号
C22386146
商品封装
SOT-23-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)15V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)12nC@10V
输入电容(Ciss)661pF
反向传输电容(Crss)268pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)304pF

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