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AGM13T30A

耐压:135V 电流:30A

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描述: 类型：N沟道漏源电压(Vdss)：135V 连续漏极电流(Id)：30A 功率(Pd)：120W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：32.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：33nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.622nF@40V ,Vds=135V Id=30A Rds=32.5mΩ,工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
品牌名称: AGMSEMI(芯控源)
商品型号: AGM13T30A
商品编号: C22386150
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数

AGM13T30A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。