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AGM215MNE
N沟道 耐压:19.5V 电流:7A
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- 描述
- 类型：双N沟道 漏源电压(Vdss)：19.5V 连续漏极电流(Id)：7.0A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：0.854nF@10V ,Vds=19.5V Id=7.0A Rds=11mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM215MNE
- 商品编号
- C22386144
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 19.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 854pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
商品概述
AGM215MNE将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低漏源导通电阻，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100%漏源电压变化率测试
- 具备静电放电保护
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器