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AGM320M
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：8.0A/-6.8A 功率(Pd)：1.7W/1.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.5mΩ@10V,3.5A;48mΩ@-10V,-2.0A 栅极电荷(Qg@Vgs)：7.0nC@10V;9.0nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.315nF@15V;0.226nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM320M
- 商品编号
- C22386143
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@10V；48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W；1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA；2.2V@250uA；2.2V@250uA；1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V；9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 315pF；226pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF；40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF；47pF |
商品概述
AGM215TS将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，以最大限度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
- 静电放电保护
应用领域
- 主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器