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AGM425ME
N+P沟道 40V 6.6A/3.3A 25mΩ/65.5mΩ
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- 描述
- 类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：6.6A/-3.3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：25mΩ@10V,4A;65.5mΩ@-10V,-4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA/-1.5@250uA; 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@10V;14nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.495nF@20V;0.6nF@-15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM425ME
- 商品编号
- C22386137
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.6A；3.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V；65.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA；1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V；14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 495pF；600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 42pF；90pF |
商品特性
- 快速开关速度
- 表面贴装封装
- 符合ROHS标准且无卤
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- DC-DC转换器
- 电机控制