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AGM30P20S
耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：3.0W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15.5mΩ@10V,5A 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：0.924nF@40V ,Vds=-150V Id=-10A Rds=320mΩ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM30P20S
- 商品编号
- C22386138
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V；23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 924pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 121pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 135pF |
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