温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WNM3013-3/TR
小信号MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.25A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3013-3/TR
- 商品编号
- C239659
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关。标准产品 WNM3013 无铅且无卤。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 卓越的导通电阻，可承受更高直流电流
- 人体模型静电放电（HBM ESD）保护 >2 kV
- 小封装 SOT - 723
应用领域
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤等
- 电源转换电路
- 便携式设备的负载/电源开关