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WPM1485-6/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM1485-6/TR

单P沟道,电流:-7.4A,耐压:-12V

品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPM1485-6/TR
商品编号
C239697
商品封装
DFN-6L(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.047克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)7.4A
导通电阻(RDS(on))50mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.8W
阈值电压(Vgs(th))950mV@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30.75nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.62nF
反向传输电容(Crss)530pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)570pF

商品概述

WPM1485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1485无铅且无卤素。

商品特性

  • 沟槽技术
  • 超高密度单元设计
  • 出色的导通电阻,适用于更高的直流电流
  • 极低的阈值电压
  • 小封装DFN2×2-6L

应用领域

  • 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
  • DC-DC转换器电路
  • 电源开关
  • 负载开关
  • 充电

数据手册PDF