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WNM4153-3/TR
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.88A
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- 描述
- WNM4153 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换应用。标准产品 WNM4153 为无铅产品
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM4153-3/TR
- 商品编号
- C239557
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 880mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 320mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 370mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 68pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品概述
WNM4153是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换应用。标准产品WNM4153为无铅产品。
商品特性
- 沟槽式N沟道
- 超高密度单元设计,实现极低的Rds(on)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 采用SOT-523小封装设计
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击装置
- 电源转换电路
- 便携式设备的负载/电源开关