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WPM2005B-8/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WPM2005B-8/TR

1个P沟道 耐压:20V 电流:2.7A

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描述
特性:具有MOSFET和肖特基二极管。 每个器件独立引脚,便于电路设计。 超低正向压降(VF)肖特基二极管。应用:锂离子电池充电。 高端直流-直流转换电路
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
WPM2005B-8/TR
商品编号
C239564
商品封装
DFN-8L(1.7x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.02克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2.7A
导通电阻(RDS(on))125mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)1.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))810mV
栅极电荷量(Qg)6.5nC@4.5V
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)150pF

商品特性

  • 集成MOSFET和肖特基二极管
  • 每个器件独立引脚,便于电路设计
  • 超低正向压降(VF)肖特基二极管

应用领域

  • 锂离子电池充电
  • 高端DC-DC转换电路
  • 小型无刷直流电机的高端驱动
  • 便携式电池供电产品的电源管理

数据手册PDF