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ESD5311Z-2/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ESD5311Z-2/TR

双向TVS 5V截止 峰值浪涌电流:4A@8/20us

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描述
ESD5311Z是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。ESD5311Z集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000 - 4 - 2标准,ESD5311Z可提供高达±20 kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC61000 - 4 - 5标准,它能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311Z采用DFN0603 - 2L封装。标准产品无铅且无卤素。
品牌名称
WILLSEMI(韦尔)
商品型号
ESD5311Z-2/TR
商品编号
C239819
商品封装
DFN0603-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.004克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
极性双向
反向截止电压(Vrwm)5V
钳位电压21V
峰值脉冲电流(Ipp)4A@8/20us
峰值脉冲功率(Ppp)8W@8/20us
击穿电压9V
属性参数值
反向电流(Ir)1nA
通道数单路
工作温度-40℃~+85℃
防护等级IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-5;IEC 61000-4-2
类型TVS
Cj-结电容0.25pF

商品概述

ESD5311Z是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器),旨在保护高速数据接口。它专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感电子元件,使其免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。 ESD5311Z集成了一对超低电容转向二极管和一个TVS二极管。 根据IEC61000 - 4 - 2标准,ESD5311Z可提供高达±20 kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC61000 - 4 - 5标准,它能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。 ESD5311Z采用DFN0603 - 2L封装。 标准产品无铅且无卤素。

商品特性

  • 关断电压:最大5V
  • 每条线路的瞬态保护符合:
    • IEC61000 - 4 - 2(ESD):±20 kV(接触放电)
    • IEC61000 - 4 - 4(EFT):40A(5/50ns)
    • IEC61000 - 4 - 5(浪涌):4 A(8/20μs)
  • 超低电容:典型值C_J = 0.25 pF
  • 超低漏电流:典型值l_R < 1 nA
  • 低钳位电压:在I_PP = 16A(TLP)时,典型值V_CL = 21 V
  • 小封装

应用领域

  • USB 2.0和USB 3.0
  • HDMI 1.3和HDMI 1.4
  • SATA和eSATA
  • DVI
  • IEEE 1394
  • PCI Express
  • 便携式电子设备
  • 笔记本电脑

数据手册PDF