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ESD9N5B-2/TR

双向TVS 5V截止峰值脉冲电流：8A@8/20us

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描述: ESD9N5B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。ESD9N5B可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。ESD9N5B采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅、无卤。
品牌名称: WILLSEMI(韦尔)
商品型号: ESD9N5B-2/TR
商品编号: C240206
商品封装: DFN1006-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.009克(g)

商品参数

商品概述

ESD9N5B是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），用于保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）影响。它特别适用于手机、便携式媒体播放器（PMP）、移动互联网设备（MID）、个人数字助理（PDA）、数码相机和其他电子设备。 ESD9N5B可根据IEC61000 - 4 - 2标准提供高达±30 kV（接触和空气放电）的ESD保护，并能根据IEC61000 - 4 - 5标准承受高达8A（8/20 μs）的峰值脉冲电流。 ESD9N5B采用DFN1006 - 2L封装。标准产品无铅、无卤。

商品特性

反向关断电压：±5V
根据IEC61000 - 4 - 2（ESD）标准，每条线路的最大瞬态保护：±30 kV（接触和空气）
IEC61000 - 4 - 4（电快速瞬变脉冲群，EFT）：40A（5/50ns）
IEC61000 - 4 - 5（浪涌）：8A（8/20 μs）
电容：C_J典型值为17.5 pF
低漏电流：l_R典型值小于1 nA
低钳位电压
固态硅技术

应用领域

手机
便携式媒体播放器（PMP）
移动互联网设备（MID）
个人数字助理（PDA）
数码相机
其他电子设备

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	双向
	反向截止电压(Vrwm)	5V
	钳位电压	12V
	峰值脉冲电流(Ipp)	8A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	96W@8/20us
	击穿电压	8.5V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	1uA
	通道数	单路
	工作温度	-40℃~+85℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	类型	TVS
	Cj-结电容	17.5pF