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WPM1488-3/TR
1个P沟道 耐压:12V 电流:1.4A
- 描述
- WPM1488 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM1488-3/TR
- 商品编号
- C239582
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 607pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
WPM1488是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1488为无铅产品。
商品特性
- 沟槽技术
- 超高密度单元设计
- 出色的导通电阻，适用于更高的直流电流
- 极低的阈值电压
- 小封装SOT-323
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
- DC-DC转换电路
- 电源开关
- 负载开关
- 充电