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WNM3003-3/TR
1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- WNM3003是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换和功率开关应用
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WNM3003-3/TR
- 商品编号
- C239653
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 72pF |
商品概述
WNM3003是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换和电源开关应用。标准产品WNM3003为无铅产品。
商品特性
-沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻,适用于更高的直流电流-极低的阈值电压-小封装SOT-23
应用领域
-继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换器电路-电源开关-负载开关-充电