温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW32NM50N
1个N沟道 耐压:500V 电流:22A
- 描述
- N沟道,500V,22A,0.13Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW32NM50N
- 商品编号
- C221468
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.501克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.973nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.7pF@50V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这种革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求极高的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用