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STB200NF04T4
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- N沟道,40V,120A,0.0037Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB200NF04T4
- 商品编号
- C221455
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.915克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 310W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此产生的晶体管展现出极高的封装密度，具备低导通电阻、坚固的雪崩特性，且关键对准步骤较少，因此具有卓越的制造重复性。
应用领域
- 高电流、高开关速度-汽车应用