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M95M01-DWMN3TP/K

支持高速时钟的汽车级1 Mbit串行SPI总线EEPROM

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描述: M95M01-A125和M95M01-A145是1 Mbit的串行EEPROM，符合汽车标准AEC-Q100等级0。这些设备通过简单的SPI兼容接口运行，最高可达16 MHz。存储阵列基于先进的真正EEPROM技术，具有嵌入式错误校正码逻辑，提高了可靠性。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95M01-DWMN3TP/K
商品编号: C221456
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.147克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	2.5V~5.5V
	工作温度	-40℃~+145℃
	工作电流	5mA
	待机电流	10uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95M01-A125和M95M01-A145是1-Mbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达145℃，符合汽车标准AEC-Q100等级0定义的极高可靠性要求。这些器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，最高运行频率可达16 MHz。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），为字节可修改存储器（131072×8位），组织为512页，每页256字节，其数据完整性通过嵌入式纠错码逻辑显著提升。M95M01-A125和M95M01-A145提供额外的识别页（256字节），可读取ST器件标识，也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
存储阵列：1 Mbit（128 K字节）EEPROM，页大小256字节，支持按块（1/4、1/2或整个存储器）写保护，额外提供可写锁定的识别页
扩展温度和电压范围：2.5V至5.5V供电时，最高工作温度可达125℃或145℃
高速时钟频率：供电电压≥4.5V时可达16 MHz，≥2.5V时可达10 MHz
施密特触发器输入，用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4 ms内完成，页写入在4 ms内完成
写入周期耐久性：25℃时400万次，85℃时120万次，125℃时60万次，145℃时40万次
数据保持时间：125℃时50年，25℃时100年
ESD保护（人体模型）：4000 V
封装：符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）
嵌入式纠错码逻辑，提升数据完整性
识别页可存储敏感参数并锁定为只读模式

应用领域

汽车领域（符合AEC-Q100等级0标准）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	1Mbit
	时钟频率(fc)	16MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次