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CMD03N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 03N03采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD03N03
- 商品编号
- C20625145
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3545克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 40A、250V，在VGS = 10V时，最大导通电阻RDS(on) = 90mΩ
- 低栅极电荷：Qg = 62nC（典型值）
- 低反向传输电容：Crss = 40pF（典型值）
- 更低的电磁干扰（EMI）噪声
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件