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CMU5N60B
1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU5N60B
- 商品编号
- C20625162
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.5625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CMSC85P03A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC降压转换器中的高端开关-笔记本电脑电池电源管理-笔记本电脑中的负载开关