CMD70R900
1个N沟道 耐压:700V 电流:9A
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- 描述
- 使用先进的超结技术和设计,可提供优异的导通电阻和低栅极电荷。该超结 MOSFET 符合行业对 PFC、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC SMPS 要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD70R900
- 商品编号
- C20625152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
该系列器件采用先进的超结技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这种超结MOSFET符合行业对功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用的AC-DC开关电源(SMPS)要求。
商品特性
- 多层外延芯片技术
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-不间断电源
