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CMD70R900
1个N沟道 耐压:700V 电流:9A
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- 描述
- 使用先进的超结技术和设计，可提供优异的导通电阻和低栅极电荷。该超结 MOSFET 符合行业对 PFC、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC SMPS 要求。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD70R900
- 商品编号
- C20625152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.355克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |