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CMP120N12
1个N沟道 耐压:120V 电流:120A
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- 描述
- 120N12采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP120N12
- 商品编号
- C20625157
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 167nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.8nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.8nF |
商品概述
CMSA8053采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 小尺寸封装（5x6mm），便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器-电机驱动-动力系统管理