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CMS4946A
2个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 描述
- CMS4946A采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMS4946A
- 商品编号
- C20625159
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽技术制造。该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V，漏极电流ID = 90A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(on)典型值为2.8mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时，导通电阻RDS(on)典型值为4mΩ
- 品质因数RDS(on) × Qgd较低
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源管理-PWM应用-负载开关
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