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CMSA8053
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- CMSA8053采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适用于消费、电信、工业电源和LED背光等领域的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA8053
- 商品编号
- C20625160
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.144克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 178 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON)典型值 = 1.1 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON)典型值 = 2.1 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- DC/DC、AC/DC电流开关
- 电源管理
- 电机驱动、快速/无线充电
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