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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMS4013B

1个P沟道 耐压:40V 电流:10A

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描述
CMS4013B采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品型号
CMS4013B
商品编号
C20625158
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.102克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))24mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
栅极电荷量(Qg)23nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.8nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)250pF

商品概述

04N03D采用先进的沟槽技术,可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件具备静电放电(ESD)保护功能。这些器件特别适用于低压应用,如手机、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。

商品特性

  • 具备静电放电(ESD)保护功能
  • 低导通电阻
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 笔记本电脑电源管理
  • 电池供电系统
  • DC/DC转换器
  • 负载开关

数据手册PDF