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CMD130N85A
1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
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- 描述
- 130N85A采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD130N85A
- 商品编号
- C20625148
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3575克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 85V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 3.9nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。该先进技术经过特别设计，可将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 160 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON)典型值 = 1.6 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(ON)典型值 = 2.3 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低Crss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理