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CMP110N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:110A
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- 描述
- 110N08采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP110N08
- 商品编号
- C20625156
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 137nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.5nF |
商品概述
IRFZ24N采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 30A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 30mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 40mΩ
- 高密度单元设计，降低Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高EAS下具有良好的稳定性和一致性
- 采用优秀的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源