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CMD2810B
1个N沟道 耐压:70V 电流:55A 停产
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- 描述
- 2810B采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD2810B
- 商品编号
- C20625149
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3565克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的沟槽（TRENCH）技术制造。 这项先进技术经过特别设计，旨在最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30 V，漏极电流（ID） = 90 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 3.3 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，典型导通电阻RDS(ON) = 5 mΩ
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 低反向传输电容（Crss）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 便携式设备和电池供电系统-笔记本电脑的电源管理