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CMD9N40B
1个N沟道 耐压:400V 电流:8A
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- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条状DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD9N40B
- 商品编号
- C20625154
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 810mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品概述
CMS4946A采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)